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电力电子技术与应用手册（执行版）

第1章电力电子器件基础与特性分析

1.1半导体器件物理原理概述

半导体器件的核心工作原理基于载流子的热运动与扩散机制，当外加电压改变时，内建电场方向发生反转，从而控制载流子的漂移与复合，最终实现电流的导通或截止。在PN结内部，由于多数载流子向少子区域扩散形成的扩散电流与少子注入形成的漂移电流相互抵消，形成空间电荷区（耗尽层），其电压称为内建电势，这是器件单向导电性的物理根源。

在正向偏置下，外加电场削弱内建电场，耗尽层变窄，扩散电流占据主导地位；而在反向偏置下，外加电场增强内建电场，耗尽层变宽，仅有微小的反向饱和电流通过，实现阻断功能。二极管的开关特性表现为在导通时呈现低导通压降（通常为0.7V左右），在关断时呈现高阻态（$R_{DS(on)}$极小），其动态响应速度受限于载流子的渡越时间，对于硅基器件通常在纳秒级。三极管（BJT）是一种电流控制器件，其基极电流可以控制集电极和发射极间的集电极电流，实现放大或开关功能，其核心在于少数载流子的注入与收集效率。

三极管的开关特性要求集电极电流在极短时间内从零快速上升（关断）和迅速下降到零（导通），若上升时间过慢会导致开关损耗增加，影响系统效率。

1.2二极管与三极管的开关特性

二极管的开关特性中，导通时间（$t_{on}$）通常定义为从导通瞬间到压降达到稳定值所需的时间