CN119643431A 一种多场耦合模型模拟变温变压环境下的桥塞腐蚀的方法 （西南石油大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119643431A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411814634.0

(22)申请日2024.12.11

(71)申请人西南石油大学

地址610500四川省成都市新都区新都大

道8号

(72)发明人易良平甘露杨兆中李小刚朱静怡黄健陈浩张智勋

(51)Int.Cl.

G01N17/02(2006.01)

E21B33/134(2006.01)

G01N17/00(2006.01)

G06F30/20(2020.01)

G06F30/13(2020.01)

G16C60/00(2019.01)

G06F119/08(2020.01)

G06F119/14(2020.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种多场耦合模型模拟变温变压环境下的

桥塞腐蚀的方法

(57)摘要

CN119643431A本发明属于可溶桥塞优化设计领域，具体涉及一种多场耦合模型模拟变温变压环境下的桥塞腐蚀的方法。该方法包括以下步骤：S1、桥塞各部件设计；S2、建立桥塞的应力腐蚀模型；S3、建立桥塞的高温腐蚀模型；S4、评价桥塞腐蚀速率；S5、预测桥塞应力腐蚀失效时间；S6、桥塞结构的二次优