CN119815858A 金属氧化物半导体器件的制备方法 (粤芯半导体技术股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于重庆
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CN119815858A 金属氧化物半导体器件的制备方法 (粤芯半导体技术股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119815858A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411951409.1

(22)申请日2024.12.27

(71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司

地址510000广东省广州市黄埔区凤凰五

路28号

(72)发明人罗超赵亮刘志鹏张青

(74)专利代理机构苏州锦尚知识产权代理事务

所(普通合伙)32502

专利代理师吴飞李洋

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/65(2025.01)

权利要求书1页说明书11页附图10页

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