2026年长鑫存储秋招在线笔试历年真题及答案汇总.docVIP

2026年长鑫存储秋招在线笔试历年真题及答案汇总

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.以下哪种存储技术属于易失性存储？

A.NANDFlash

B.DRAM

C.3DNAND

D.NORFlash

2.DRAM存储单元的基本结构通常是？

A.1个晶体管+1个电容（1T1C）

B.2个晶体管+1个电容（2T1C）

C.1个晶体管+2个电容（1T2C）

D.2个晶体管+2个电容（2T2C）

3.光刻工艺中，决定分辨率的关键参数不包括？

A.曝光波长

B.数值孔径（NA）

C.工艺因子（k1）

D.晶圆厚度

4.DDR5相比DDR4，最大的改进之一是？

A.降低预取位数

B.提高工作电压

C.支持更高数据速率

D.减少存储密度

5.半导体制造中，CMP（化学机械抛光）的主要作用是？

A.去除表面氧化层

B.实现表面平坦化

C.沉积金属薄膜

D.刻蚀沟槽结构

6.以下哪种薄膜沉积技术属于物理过程？

A.CVD（化学气相沉积）

B.PVD（物理气相沉积）

C.ALD（原子层沉积）

D.MOCVD（金属有机化学气相沉积）

7.3DNAND技术通过哪种方式提升存储密度？

A.缩小单元尺寸