CN119800511A 一种采用Mg作为添加剂一步法制备高长径比高纯度Si3N4晶须的方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdfVIP

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  • 2026-06-03 发布于重庆
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CN119800511A 一种采用Mg作为添加剂一步法制备高长径比高纯度Si3N4晶须的方法 (中国人民解放军国防科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119800511A

(43)申请公布日2025.04.11

(21)申请号202411994311.4

(22)申请日2024.12.31

(71)申请人中国人民解放军国防科技大学

地址410073湖南省长沙市开福区德雅路

109号

(72)发明人王为得陈思安刘一铭马青松

郭蕾彭峥

(74)专利代理机构长沙国科天河知识产权代理

有限公司43225

专利代理师刘宏

(51)Int.Cl.

C30B29/38(2006.01)

C30B1/12(2006.01)

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