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金属-氧化物-半导体场效应晶体管.pdfVIP

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金属-氧化物-半导体场效应晶体管.pdf

    MOSFET

    金属-氧化物-半导体场效应晶体管

    MetalOxideSemiconductor

    FieldEffectTransistor

    1

    1.MOSFET的基本工作原理

    纵向结构：

    金属-氧化层-半导体

    横向结构：

    源区-沟道区-漏区

    四端(4个电极)：

    漏极D(Drain)

    栅极G(Gate)

    源极S(Source)

    衬底B(Bulk,

    Substrate)

    几何参数：W、L和tOX

    区域划分：有源区，场区

    2

    载流子运动方向：S→D器件VV

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