半导体物理与器件第7章 表面电场效应和MOS物理.pdfVIP

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  • 2026-06-04 发布于河北
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半导体物理与器件第7章 表面电场效应和MOS物理.pdf

第七章表面电场效应和MOS物理

1

MOSFET是现代数字集成电路的核心器件。

MOSFET剖面图

•MOSFET与半导体表面及半导体-绝缘层界面性质密

切相关。

•MOSFET的核心部分是MOS(MIS)结构。

2

本章研究半导体/绝缘层界面性质以及MOS结构的电学

特性。

半导体表面以及半导体-绝缘层界面性质;

表面电场效应(是MOSFEF工作的基础);

MOS结构C-V特性。

3

§7.1半导体表面和Si-SiO2界面

7.1.1表面态

由于晶格周期性在表面处中断

而出现的局(定)域于表面附近

的电子态——表面态

禁带中的电子态数等于表面原子

数,表面原子面密度∼1015

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