半导体物理与器件饱和区跨导_336008736.pdfVIP

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  • 2026-06-04 发布于河北
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半导体物理与器件饱和区跨导_336008736.pdf

(V−V)ℰL

饱和漏极电压:VGSTsat(20)

Dsat

(V−V)+L

GSTℰsat

饱和漏极电流:IDsatWCOXvsat(VGS−VT−VDsat)(21)

以上两个公式对于两种饱和模型(沟道夹断和速度饱

和)都成立

∂I⎡∂V⎤

gmsatDsatWCOXvsat⎢1−Dsat⎥

∂V∂V

G⎣G⎦

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