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电子技术与产品创新手册

第1章基础理论与前沿技术

1.1半导体器件物理与集成原理

本小节将从能带理论出发，解释电子在晶体硅中的运动机制。当光照激发电子时，价带中的电子获得足够能量跃迁至导带，同时在导带留下空穴，形成电子-空穴对。若内建电场（PN结）方向相反，多数载流子将向少数载流子扩散，导致空间电荷区形成耗尽层，从而建立电位差。掺杂是控制半导体导电性的核心手段。以N型硅为例，掺入五价磷原子，磷原子有五个价电子，其中四个与周围硅原子形成共价键，多余的一个电子受热激发成为自由电子，成为多数载流子。而P型硅则掺入三价硼原子，硼原子只有三个价电子，缺少一个电子形成“空穴”，成为多数载流子。

集成原理涉及微电子技术，即利用光刻、蚀刻、薄膜沉积等工艺将电路元件压缩到微米甚至纳米尺度。以CMOS工艺为例，通过光刻机将掩膜版图案转移到硅片上，利用离子注入机将磷或硼原子注入特定区域，再通过氧化层和金属层形成晶体管结构。二极管是基本的半导体器件，其核心是PN结。在正向偏置时，外加电压抵消了内建电场，耗尽层变窄，电流呈指数增长；在反向偏置时，耗尽层变宽，只有微小的漏电流。晶体管是集成电路的核心开关元件，分为双极型（BJT）和场效应型（FET）。以NMOS晶体管为例，栅极（G）控制源极（S）和漏极（D）之间的电流，当栅极电压高于阈值电压$V_{th}$时，沟