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单晶硅衬底偏角对锗薄膜沉积生长的影响机制与应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息技术飞速发展的时代，半导体产业作为现代科技的核心支柱，始终处于不断创新与突破的前沿。在众多半导体材料中，锗（Ge）凭借其独特的物理性质，如高载流子迁移率、在近红外波段的高光学吸收系数以及与硅工艺的兼容性，成为了半导体领域中备受瞩目的研究对象。锗薄膜作为锗材料的一种重要形态，在光电器件、高速电子器件以及传感器等领域展现出了巨大的应用潜力。

在光电器件方面，锗薄膜被广泛应用于光电探测器、发光二极管以及激光二极管的制造。以光电探测器为例，锗薄膜在近红外波段的高吸收率使其能够高效地将光信号转换为电信号，从