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- 2026-06-04 发布于北京
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2013年4月
FDB029N06N沟道PowerTrench®
MOSFET60V,193A,3.1m
特性描述
=2=10=75®
•导通电阻.4m（典型值）@VGSV,IDA此N沟道MOSFET采用FairchildSemiconductor的先进
®
•快速开关速度PowerTrench工艺制造，该工艺经过优化，旨在最小化导通电
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