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光电子技术与产品开发手册

第1章光电子技术与产品开发手册

1.1半导体物理与能带结构

能带理论是理解半导体光电特性的基石，将原子轨道相互作用抽象为连续的能量状态。在绝对零度下，价带（ValenceBand）被电子填满，导带（ConductionBand）为空，中间存在禁带（BandGap,$E_g$），其宽度直接决定了材料的导电类型（n型或p型）和光电响应特性。电子在价带顶附近的态密度（DensityofStates,DOS）随能量增加呈抛物线分布，而空穴在费米能级附近的态密度则呈现指数衰减形式，这种非对称分布导致了光吸收过程中的跃迁概率差异。

禁带宽度$E_g$决定了材料的本征吸收边，例如硅（Si）的$E_g\approx1.12$eV，对应吸收截止波长约为1100nm，而砷化镓（GaAs）的$E_g\approx1.42$eV，对应截止波长约为870nm，这直接影响了器件对红外光段的探测能力。掺杂过程通过引入施主或受主杂质，将能级引入禁带，形成准导带或准价带。n型硅的导带底位于禁带中心上方约0.05eV处，而p型硅的价带顶位于禁带中心下方约0.05eV处，这种能级位置决定了载流子的热平衡浓度。本征载流子浓度$n_i$随温度呈指数规律变化，遵循公式$n_i^2=N_cN_v\exp\