CN119654453A 氮化物半导体基板及其制造方法 （信越半导体株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119654453A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202380060769.X

(22)申请日2023.06.23

(30)优先权数据

2022-1321022022.08.22JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.02.19

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0233162023.06.23

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/042836JA2024.02.29

(71)申请人信越半导体株式会社地址日本东京都

(72)发明人久保埜一平萩本和德

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限

公司11002

专利代理师田凌宇陈玉净

(51)Int.Cl.

C30B29/38(2006.01)

C30B25/18(2006.01)

H01L21/20(2006.01)

H01L21/205(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图3页

(54)发明名称

氮化物半导体基板及其制造方法

(57)摘要

CN119654453A本发明提供一种氮化物半导体基板，其具备：电阻率为1000Ω·cm以上的硅基板、或表面具备电阻率为1000Ω·cm以上的硅层的基底基板