2025年低功耗芯片漏电流控制工艺半导体芯片制造工艺工程师考核试卷.docVIP

2025年低功耗芯片漏电流控制工艺半导体芯片制造工艺工程师考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.在低功耗芯片设计中，以下哪项措施对降低静态功耗最有效？

A.提高工作电压

B.增加晶体管尺寸

C.采用更低阈值电压的晶体管

D.提高时钟频率

2.低功耗芯片制造中，哪种工艺技术能显著减少漏电流？

A.高掺杂浓度

B.深沟槽隔离

C.高氧化层厚度

D.硅锗合金材料

3.在低功耗设计中，以下哪项技术属于电源门控技术？

A.电压调节模块（VRM）

B.电池管理单元（BMS）

C.功率门控晶体管（PGT）

D.电流限制器

4.低功耗芯片制造中，以下哪项工艺步骤对降低漏电流最关键？

A.光刻

B