CN119650544A 电容器件及其制作方法、电子设备 （华为技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650544A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202311196801.5

(22)申请日2023.09.15

(71)申请人华为技术有限公司

地址518129广东省深圳市龙岗区坂田华

为总部办公楼

(72)发明人洪文彬金荣善

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319

专利代理师王洪

(51)Int.Cl.

H01L23/522(2006.01)

H10N97/00(2023.01)

权利要求书2页说明书8页附图10页

(54)发明名称

电容器件及其制作方法、电子设备

(57)摘要

CN119650544A本申请提供一种电容器件及其制作方法、电子设备，涉及电容器领域，能够提升MIM电容的电容密度。该电容器件包括基底、设置在基底上的第一电极层、第二电极层、第一介质层。其中，第一电极层呈沟槽结构，沟槽结构的开口朝向远离基底的一侧，沟槽结构的底部设置在基底上。第二电极层覆盖沟槽结构的内表面和外表面。第一介质层位于第一电极层和第二电极层之间。通过设置第二电极层覆盖第一电极层(即沟槽结构)沟槽结构的内表面和外表面，能够增加有效电容

CN119650544A

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