TFT作业2第11组：缺陷捕获与态形成机理分析.pdfVIP

TFT作业2

第11组小组成员：

五、捕获的机理为何?Statecreation机理解释?

1、捕获机理

晶体有的是在晶体生长过程中，由于温度、、介质组分浓度等变化而引起的；

有的则是在晶体形成后，由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移，

以至；同时又可有新的产生。

捕获中主要针对点。

点分为两种：结构点（破坏晶体结构完整性）和化学点（改变晶体的化学

成分）。其中结构点又分为点阵空位和间隙原子，化学点分为代位杂质和间隙杂质。当缺

陷中的填隙离子本身带有电荷，空位带有与该离子相反的电荷时，这种带电就能够捕获与

其有效电荷反号的电子而改变其带电状态。根本上,俘获电子和空穴应当是该处原

子势场的改变,造成对周期势的破坏,可以形成禁带中的局域态能级(也可以是导价带中的非

定域能级)。在掺杂体系中，由于主体材料和客体材料的导带和价带不同，以至于电子或空

穴在进入掺杂体系以后，会优先的选择能量