CN119653866A 一种碳化硅mosfet版图结构及制作方法 (山东大学).docxVIP

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  • 2026-06-08 发布于山西
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CN119653866A 一种碳化硅mosfet版图结构及制作方法 (山东大学).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653866A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510179820.X

(22)申请日2025.02.19

(71)申请人山东大学

地址250000山东省济南市历城区山大南

路27号

(72)发明人汉多科·林那威赫刘芝新崔潆心韩吉胜徐现刚

(74)专利代理机构西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223

专利代理师梁静

(51)Int.Cl.

H10D89/10(2025.01)

H10D30/67(2025.01)

H10D30

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