CN119650714A 一种低残余应力的功能集流体及其制备方法和应用 (扬州纳力新材料科技有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-06 发布于山西
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CN119650714A 一种低残余应力的功能集流体及其制备方法和应用 (扬州纳力新材料科技有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119650714A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202510180275.6

(22)申请日2025.02.19

(71)申请人扬州纳力新材料科技有限公司

地址225200江苏省扬州市江都区仙女镇

浦江东路168号

(72)发明人申鹏程李瑞平李学法张国平

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限

公司44202

专利代理师黄绮颖

(51)Int.Cl.

H01M4/66(2006.01)

H01M10/0525(2010.01)

权利要求书1页说明书7页

(54)发明名称

一种低残余应力的功能集流体及其制备方

法和应用

(57)摘要

CN119650714A本申请具体公开了一种低残余应力的功能集流体及其制备方法和应用。一种低残余应力的功能集流体,包括两个金属层和设置在两个金属层之间的聚合物层;其中,聚合物层中从聚合物层的表面至远离金属层的第2_3μm的范围记为A区,金属层中从靠近聚合物层的金属层的表面至远离聚合物层的第100nm的范围记为B区,A区和B区即为聚合物层与金属层的交界区;功能集流体中含有氮离子,聚合物层与金属层的交界区中的氮离子浓度占功能集流体中的氮离子总浓度的80%以上。本申请具有减弱功能集流体的残余应

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