Mist-CVD法制备氧化镓薄膜：工艺、特性与应用探索.docxVIP

Mist-CVD法制备氧化镓薄膜：工艺、特性与应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代电子信息产业的基础，其发展历程见证了人类科技的飞速进步。从最初的第一代半导体材料硅（Si）和锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代的氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC），每一代半导体材料的出现都推动了电子技术的巨大变革，满足了不同时期对电子器件性能的需求。然而，随着量子信息、人工智能等高新技术的迅猛发展，现有的三代半导体材料逐渐暴露出一些局限性，难以同时满足高性能、低成本等新需求。在此背景下，第四代半导体材料应运而生，其中氧化镓（Ga?O?）凭借其独特的优势