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半导体设计与制造手册

第1章半导体物理基础与器件特性

1.1能带理论与载流子统计

在绝对零度下，晶体中的价带完全被电子填满，而导带完全空置，两者之间由禁带（BandGap）隔开，禁带宽度$E_g$决定了材料的本征特性。以硅（Si）为例，其禁带宽度约为1.12eV，这意味着电子需要吸收至少1.12eV的能量才能从价带跃迁到导带，产生自由电子和空穴。根据费米-狄拉克统计，在有限温度下，导带中的电子遵循高斯分布，其浓度由热激发因子$n_i\proptoT^{3/2}\exp(-E_g/2kT)$决定，其中$k$为玻尔兹曼常数，$T$为绝对温度。当温度升高时，载流子浓度呈指数级增长，这是半导体器件温度敏感性的根源。

本征载流子浓度$n_i$的计算公式为$n_i=\sqrt{N_cN_v}\exp(-E_g/2kT)$，其中$N_c$和$N_v$分别为导带和价带的有效态密度，对于硅在300K时，$n_i$约为$1.5\times10^{10}\text{cm}^{-3}$。当温度低于300K时，载流子浓度随温度升高而降低，这是因为热激发效率下降，但本征载流子浓度对温度的依赖性主要由指数项主导，导致低温下器件性能不稳定。对于非本征半导体，如掺杂后的硅，费米能级$E_F$会偏离禁带中心$E_g/2