CN119384023A 一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-07 发布于重庆
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CN119384023A 一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构及其制备方法 (杭州谱析光晶半导体科技有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119384023A

(43)申请公布日2025.01.28

(21)申请号202411944221.4

(22)申请日2024.12.27

(71)申请人杭州谱析光晶半导体科技有限公司

地址310000浙江省杭州市萧山区瓜沥镇

航钱路168号3幢4层405(自主分割)

(72)发明人许一力李鑫刘倩倩

(74)专利代理机构深圳市励知致远知识产权代

理有限公司44795

专利代理师林泓泽

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/63(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H01L23/552(2006.01)

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