CN119384210B 半导体结构及其制备方法、电子设备 (甬江实验室).pdfVIP

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  • 2026-06-07 发布于重庆
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CN119384210B 半导体结构及其制备方法、电子设备 (甬江实验室).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN119384210B

(45)授权公告日2025.03.28

(21)申请号202411962427.XH10N30/80(2023.01)

H10N30/87(2023.01)

(22)申请日2024.12.30

(56)对比文件

(65)同一申请的已公布的文献号

申请公布号CN119384210ACN107346802A,2017.11.14

CN1684260A,2005.10.19

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