半导体题库及详解.docxVIP

半导体题库及详解

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

本征半导体中参与导电的载流子是：

A.只有自由电子

B.只有空穴

C.自由电子和空穴

D.不存在载流子

答案：C

解析：本征半导体是不含杂质、晶格结构完整的纯净半导体，室温下热激发会产生等量的自由电子和空穴，两种都是参与导电的载流子。选项A、B只提到单一种类载流子，不符合本征半导体的载流子特性；选项D错误，本征半导体虽然载流子浓度低，但依然存在热激发产生的载流子。

PN结正向偏置的正确接法是：

A.P区接电源正极，N区接电源负极

B.P区接电源负极，N区接电源正极

C.P区、N区都接电源正极

D.P区、N区都接电源负极

答案：A

解析：PN结正向偏置时，外电场方向与内建电场方向相反，耗尽层变窄，多子扩散运动占主导，形成较大的正向电流，呈现导通特性。选项B是反向偏置接法，此时PN结截止；选项C、D无法形成有效偏置压降，不能让PN结进入正向导通状态。

制作N型半导体时，需要向本征硅中掺入的杂质类型是：

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.六价元素

答案：C

解析：五价元素原子最外层有5个电子，掺入硅晶格后会多余一个自由电子，使半导体的多数载流子为自由电子，形成N型半导体。选项A三价元素是制作P型半导体的杂质；选项B四价元素和硅同主族，掺杂后不会改变载流子特性；选项D六价元素掺杂会引入深能