CN119660666A 一种倒装mems压力芯片及其制备方法 （武汉中航传感技术有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119660666A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202510186462.5

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人武汉中航传感技术有限责任公司

地址430074湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道999号

(72)发明人官威周璇李鹏璐

(74)专利代理机构武汉天领众智专利代理事务所(普通合伙)42300

专利代理师聂文杰

(51)Int.Cl.

B81B7/00(2006.01)

G01L1/18(2006.01)

G01L9/06(2006.01)

B81B7/02(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图4页

(54)发明名称

一种倒装MEMS压力芯片及其制备方法

(57)摘要

CN119660666A本发明提出了一种倒装MEMS压力芯片，包括SOI衬底和玻璃盖板，衬底顶面与盖板底面键合连接；衬底顶面设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过导路连接构成惠斯通电桥，惠斯通电桥的4个接头处设有电连接盘；盖板顶面开设有4个贯穿的连接孔，连接孔内填充有导电材料，导电材料底面与对应的电连接盘连接，盖板底面中央开设有凹腔。本发明通过盖板实现电路的垂直连接，使芯片可以直接