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原子层沉积术语

1范围

本文件定义了原子层沉积（Atomiclayerdeposition，ALD）的通用术语和其薄膜生长工艺的相关术语。根据前驱体交替地在基底上进行表面反应的分隔方式，ALD技术可以分为传统时间隔离ALD和空间隔离ALD。除了平面基底外，ALD还可以用于微纳米颗粒的包覆，如粉体ALD。通过在ALD工艺过程中引入其他形式的能量来激活反应形成了能量增强的ALD技术。本文件详细说明了不同ALD方法的工艺流程。

本文件适用于ALD的工艺过程。本文件不适用于沉积材料或特定纳米结构。

本文件适用于与ALD相关的工业生产、科学研究、教学、出版和学术交流。

2规范性引用文件

本文件中没有规范性引用。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

原子层沉积atomiclayerdeposition

通过交替的自限制表面吸附和化学反应进行材料的循环沉积来制造均匀和保形薄膜的过程，从而能够在原子尺度上控制厚度。

注：该过程通常使用至少两个连续反应来完成一个循环，该循环可以重复多次以达到所需的厚度。[ISO/TS80004-8:2020，定义8.2.2，修改——定义中“通过自限制表面反应”已替换为“通过交替

的自限制表面吸附和化学反应”]

3.2

基底substrate

用于薄膜沉积的工件。

[GB/T