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CN119803198A 带有双侧半包裹金属电极的半导体桥换能芯片及制备方法 （燕山大学）.pdfVIP

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  • 2026-06-10 发布于重庆
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CN119803198A 带有双侧半包裹金属电极的半导体桥换能芯片及制备方法 （燕山大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119803198A

    (43)申请公布日2025.04.11

    (21)申请号202411918893.8C30B31/00(2006.01)

    C23C14/35(2006.01)

    (22)申请日2024.12.25

    C23C14/18(2006.01)

    (71)申请人燕山大学

    C23C14/04(2006.01)

    地址066004河北省秦皇岛市海港区河北

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