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CN119685935A 在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 （苏州大学）.docxVIP

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  • 2026-06-10 发布于山西
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CN119685935A 在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 （苏州大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119685935A

    (43)申请公布日2025.03.25

    (21)申请号202510199771.6

    (22)申请日2025.02.24

    (71)申请人苏州大学

    地址215200江苏省苏州市吴江区久泳西

    路1号

    (72)发明人曹冰刘淼夏天

    (74)专利代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司32103

    专利代理师俞春雷

    (51)Int.Cl.

    C30B29/38(2006.01)

    H01L21/02(2006.01)

    C30B29/02(2006.01)

    C30B29/4

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