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半导体制造与质量控制手册（执行版）

第1章总则与组织架构

1.1手册适用范围与定义

本手册旨在规范半导体制造过程中所有涉及关键制程参数、设备操作及材料管理的作业活动，确保晶圆从晶圆炉到封装测试的全生命周期质量受控。适用范围涵盖新建晶圆厂（Fab）的初期建设规划、现有产线的日常运行维护、设备故障的紧急响应以及新设备导入（OEE）前的验证阶段。

手册定义的“关键制程”特指对晶圆表面平整度、薄膜均匀性及光刻胶附着力产生决定性影响的步骤，如光刻、蚀刻、薄膜沉积及离子注入。“关键设备”指产能占比超过30%且单台成本超过100万美元的核心制造设备，如深紫外（DUV）光刻机、离子注入机及薄膜