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光电子技术与设备手册（执行版）

第1章光电子器件基础理论

1.1半导体物理与能带理论

半导体材料（如硅、砷化镓）的能带结构由价带（ValenceBand）和导带（ConductionBand）构成，二者之间被禁带（BandGap,$E_g$）隔开，这是决定器件导电性的根本物理基础。在绝对零度下，价带被完全填满，导带为空，半导体表现为绝缘体；随着温度升高或光照激发，电子获得能量跃迁至导带，同时在价带留下空穴，形成导电载流子对。

本征半导体的载流子浓度由本征载流子浓度$n_i$决定，其数值与温度呈指数关系，例如硅在300K时，$n_i\approx1.5\tim