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基于第一性原理的n型掺杂金刚石电子结构与性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，从第一代的硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN），每一次材料的革新都推动着半导体器件性能的大幅提升，促使电子信息产业实现跨越式发展。如今，随着5G、6G通信技术，人工智能，以及航空航天等领域对半导体器件性能提出了更高要求，如在高频、高功率、高温以及抗辐照等极端条件下稳定且高效地工作，传统半导体材料的性能瓶颈逐渐凸显，探寻新型半导体材料成为当务之急。

金刚石，作为一种碳的同素异形体，因其独特的晶体