100V 10A 180mΩN沟道增强型功率MOSFET特性与应用.pdfVIP

2013年6月

FQD13N10L/F

QU13N10LN沟道QFETMOSFET100

V,10A,180m

描述特性

这款N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild•10A,60V,RDS(导通)=180m(最大)@VGS

Semiconductor®的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种先=10=5

V,ID.0A

进的MOSFET技术特别针对降低导通电阻进行了优化，并提•低栅极电荷（典型值8.7nC）

供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关

•低Crss（典型值20pF）

模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。