IRFP250 N沟道功率MOSFET技术规格与应用指南.pdfVIP

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IRFP250 N沟道功率MOSFET技术规格与应用指南.pdf

IRFP250

数据表1999年7月文件编号2330.3

33A,200V,0.085欧姆,N沟道功率特性

MOSFET

•33A,200V

这款N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一种先进的功率=0

•rDS(导通).085

MOSFET,设计、测试在雪崩击穿模式下承受特定的

•雪崩能量额定值

能量水平。所有这些功率MOSFET都适用于开关稳压器、开

关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅

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