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- 2026-06-12 发布于北京
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IRFP250
数据表1999年7月文件编号2330.3
33A,200V,0.085欧姆,N沟道功率特性
MOSFET
•33A,200V
这款N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管是一种先进的功率=0
•rDS(导通).085
MOSFET,设计、测试在雪崩击穿模式下承受特定的
•雪崩能量额定值
能量水平。所有这些功率MOSFET都适用于开关稳压器、开
关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅
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