CN119694792A 电容及其制备方法、射频器件 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694792A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202311235021.7

(22)申请日2023.09.22

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

申请人北京京东方光电科技有限公司北京京东方技术开发有限公司

(72)发明人曹雪冯春楠冯昱霖杨硕李月

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理

有限公司11112

专利代理师李迎亚彭瑞欣

(51)Int.Cl.

H01G7/06(2006.01)

H01G13/00(2013.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

电容及其制备方法、射频器件

(57)摘要

CN119694792A本公开提供一种电容及其制备方法、射频器件，属于射频技术领域，其可解决现有的电容不可调的问题。本公开的电容包括相对设置的第一基板和第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的液晶层、第一电极和第二电极。第一基板包括第一介质基板，以及依次设置在第一介质基板靠近液晶一侧的第三电极和第一配向层，第二基板包括第二介质基板，以及依次设置在第二介质基板靠近液晶层一侧的第四电极和第二配向层。通过在第三电极和第四电极上加载电压驱动液晶分