CN119697991A 半导体器件及其制备方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-06-12 发布于山西
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CN119697991A 半导体器件及其制备方法 (长鑫科技集团股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119697991A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411834410.6

(22)申请日2024.12.12

(71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

地址230601安徽省合肥市经济技术开发

区空港工业园兴业大道388号

(72)发明人曹堪宇宋增超王振翰卢小龙葛瑞邢韵

(51)Int.Cl.

H10B41/20(2023.01)

H10B41/30(2023.01)

H10B43/20(2023.01)

H10B43/30(2023.

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