CN119694773A 一种耐腐蚀晶界扩散钕铁硼磁体及其制备方法 （安徽大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694773A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202510206295.6

(22)申请日2025.02.25

(71)申请人安徽大学

地址230031安徽省合肥市蜀山区肥西路3

号

(72)发明人汤进柳涛吴耀东彭友红

张永森蒋佳良李仕林张宇邢雨晴

(74)专利代理机构北京博识智信专利代理事务所(普通合伙)16067

专利代理师赵晓单

(51)Int.Cl.

H01F41/02(2006.01)

H01F1/057(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图1页

(54)发明名称

一种耐腐蚀晶界扩散钕铁硼磁体及其制备

方法

(57)摘要

CN119694773A本发明涉及稀土永磁材料技术领域，具体涉及一种耐腐蚀晶界扩散钕铁硼磁体及其制备方法，获取烧结钕铁硼毛坯，获取扩散源，调制晶界扩散剂，所述扩散源按质量比计数（wt.%）为Znα LiβMn100-α-β合金，60wt.%≥α≥10wt.%，对钕铁硼毛坯进行处理，将扩散剂包覆于磁体表面，得到复合磁片，将复合磁片进行晶界扩散热处理，得到耐腐蚀晶界扩散钕铁硼磁体。该方法使用的扩散源价格低、与传统设备匹配度高，除扩散源