模拟电子技术课件第1.10讲 晶体管的电流放大作用（2019.12.4）.pptxVIP

第1.10讲晶体管的电流放大作用第1章常用半导体器件主讲人：赵洪亮博士、教授山东科技大学首批在线课程建设项目《模拟电子技术基础》电工电子国家级实验教学示范中心（山东科技大学）参考资料：童诗白、华成英.模拟电子技术基础（第五版），p25~27，第1.3.2节

一、引言二、晶体管内部载流子的运动三、晶体管的电流分配关系四、晶体管的共射电流放大系数五、晶体管的共基电流放大系数六、总结主要内容第1章常用半导体器件第1.10讲晶体管的电流放大作用

一、引言第1章常用半导体器件晶体管的基本作用晶体管起放大作用的条件基本共射放大电路将小的电流信号放大为大的电流信号，通过外接元件可构成电压放大电路、功率放大电路。第1.10讲晶体管的电流放大作用

二、晶体管内部载流子的运动（以NPN管为例）第1章常用半导体器件（1）由于发射结正向偏置，发射区多子电子扩散到基区，形成IEN，很大，因为浓度高。（2）由于发射结正向偏置，基区多子空穴由基区向发射区扩散，形成IEP，很小，因为浓度小。（3）由发射区扩散到基区的电子（成为基区的非平衡少子）中，其中很少一部分与空穴复合，形成IBN、电流很小（因基区多子空穴浓度很低）。（4）由发射区扩散到基区的电子，绝大部分在外电场拉动下、穿过基区到达集电结边缘。并在集电结内电场和外电场共同作用下，漂移过集电结，到达集电区，形成ICN