CN119833418A 封装结构及其形成方法 (长电微电子(江阴)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-06-13 发布于重庆
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CN119833418A 封装结构及其形成方法 (长电微电子(江阴)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833418A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202411887204.1

(22)申请日2024.12.20

(71)申请人长电微电子(江阴)有限公司

地址214430江苏省无锡市江阴市长山大

道78号

(72)发明人周青云蒋熠阳董佳瑜郦文杰

(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务

所(普通合伙)31294

专利代理师高翠花

(51)Int.Cl.

H01L21/60(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

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