射频器件参数与安装方法.pdfVIP

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  • 2026-06-15 发布于北京
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聚苯乙烯射频器件

LB401

一般描述

专为宽带射频应用设计的硅硅栅增强模式

VDMOS和LDMOS晶体管。适用

射频功率晶体管LDMOS

于无线电、蜂窝和寻呼放大基

站、广播FM/AM、MRI、激光驱130.0瓦特推挽

动器等。

封装样式LB

Polyfet工艺具有低反馈电容和输高效率,线性

出电容,从而实现高F晶体管,具有高

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