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CN119920692A 基于衬底氧含量Oi的退火片的BMD调控方法 （杭州中欣晶圆半导体股份有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-06-13 发布于重庆
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CN119920692A 基于衬底氧含量Oi的退火片的BMD调控方法 （杭州中欣晶圆半导体股份有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119920692A

    (43)申请公布日2025.05.02

    (21)申请号202411898718.7

    (22)申请日2024.12.20

    (71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

    地址311201浙江省杭州市钱塘新区东垦

    路888号

    (72)发明人曹煜王云峰张沛

    (74)专利代理机构杭州融方专利代理事务所

    (普通合伙)33266

    专利代理师沈相权

    (51)Int.Cl.

    H01L21/324(2006.01)

    H01L21/66(2006.01)

    权利要求书1页说明书3页

    (54)发明名

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