NIST-深能级陷阱对氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管载流子迁移率的影响 Impact of Deep-Level Traps on Carrier Mobility in β-Ga2O3 MOSFETs.pdfVIP

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  • 2026-06-16 发布于广东
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NIST-深能级陷阱对氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管载流子迁移率的影响 Impact of Deep-Level Traps on Carrier Mobility in β-Ga2O3 MOSFETs.pdf

MAIMONetal.:ImpactofDeep-LevelTrapsonCarrierMobilityinβ-GaOMOSFETs7

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ImpactofDeep-LevelTrapsonCarrierMobility

inβ-GaOMOSFETs

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O.Maimon,N.A.Moser,P.R.Shrestha,M.-Y.Kim,S.–M.Koo,K.J.Liddy,A.J.Green,K.D.

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