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ICP刻蚀SiC机制与表面损伤的深度剖析与优化策略

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，碳化硅（SiC）凭借其卓越的物理和化学特性，如宽带隙、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等，成为制作高性能半导体器件的理想材料，在功率电子器件、微波器件和高温传感器等领域展现出巨大的应用潜力。在新能源汽车的电驱系统中，SiC功率器件可显著提升系统效率，降低能量损耗，延长续航里程；在5G通信基站的射频模块里，SiC器件能够满足高功率、高效率的要求，保障信号的稳定传输。

ICP（电感耦合等离子体）刻蚀技术作为制备SiC器件的关键工艺，通过电感耦合方式产生高密度等离子体，利用物理和化