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MEMS热电偶研究现状的文献综述

由于MEMS热电偶的测温性能在瞬态高温等极端环境下具有常规传感器不可比拟的优势，因此近年来国内外对其动态性能的研究越来越深入[22,23]。在国内，候晓伟、刘莉娜等人采用MEMS工艺在硅衬底上制备了铂电阻薄膜温度传感器，分别在500℃、600℃、700℃和800℃四种温度下对样品进行热处理，并对其电阻值进行分析和测试，结果表明退火处理可以提高铂薄膜温度传感器的动态性能，有效改善传感器的稳定性和重复性[24]。中国电子科技集团的赵正平等人研究表示智能温度传感器的温度传感单元具有多种类型的MEMS结构，在设计传感器时必须要考虑到不同性能参数之间的差异，比如精度、转换时间、分辨率和面积等，在不同的应用环境下设计的侧重点也要有所不同，高温环境下重点在于高温度分辨率，而对测量精度的要求可以适当降低[25]。东南大学的马洪宇对MEMS电容式温度传感器进行了研究，基于不同材料热膨胀系数的不同，电极之间电介质的介电常数随应力的改变而发生相应变化，通过检测电容的变化即可测得温度的变化，并采用ANSYS有限元软件进行了模型验证[26]。林立伟等人分别从薄膜功能材料的制备、有限元仿真分析、温度传感器的制作、虚拟仪器测试平台的建立和实验测试五个方面开展对基于Pt功能薄膜的MEMS温度传感器的研究，将Si-SiO2作为薄膜传感器的基底，