ZnO薄膜生长调控及光纤温度传感器的创新制备与性能研究.docx

ZnO薄膜生长调控及光纤温度传感器的创新制备与性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，对高性能传感器的需求日益增长。ZnO薄膜作为一种重要的半导体材料，因其具备独特的物理化学性质，如宽禁带（室温下约为3.37eV）、高激子束缚能（60meV）、良好的压电性、气敏性和压敏性等，在光电器件、透明导电薄膜、气体传感器、太阳能电池窗口材料等众多领域展现出了广泛的应用前景。例如在光电器件中，ZnO薄膜可用于制作紫外发光二极管（UV-LED），其宽禁带特性使得发出的紫外光波长较短，在杀菌、医疗、生物检测等领域有重要应用；在透明导电薄膜方面，ZnO薄膜在保持良好导电