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集成电路CMOS题库

一、选择题

1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（B）

A.12B.18C.20D.24

2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）

成电路中管的衬底应该如何连接为什么分解在工艺中由于管做在型的局部衬底也就是阱里面因此管的局部衬底接局部高电位什么是阱分解工艺中管与管必须做在同一衬底上若衬底为型则管要做在一个型的局部衬底上这块与衬底掺杂类型相反的型局部衬底叫做阱解释什么叫沟

A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通

3.在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。（D）

A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区

4.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。