CVD硅碳用多孔碳, 2025年前13大企业.pdf

全球市场研究报告

CVD硅碳用多孔碳产品概述

硅碳负极具有高首效，低成本等优势，但是过去膨胀力较大，影响了循环寿命改善主要是通过减小硅的尺寸

至纳米级别进而减小材料膨胀影响，目前硅碳负极合成主要分为三种主流路线，分别为机械球磨法、高温热

解法以及化学气相沉积法（CVD）。

机械球磨法将合适的硅源与碳源，利用球磨机对混合物进行球磨，完成后再进行烧结。机械球磨法将硅材料

研磨至纳米级别，从而实现硅碳的均匀混合，可一定程度上解决循环问题。机械球磨法可以明显提高材料的

电化学性能，工艺简单，可以大规模生产，但由于研磨过程中硅颗粒容易团聚，导致材料的循环性能欠佳。

机械球磨法生产的硅碳负极也叫硅氧负极，本报告中不作为硅碳负极用多孔碳的下游应用对象。

CVD法是通过多孔碳骨架来储硅，并通过多孔碳内部的空隙来缓冲硅嵌锂过程中的体积膨胀，因此膨胀率

低，循环优异，并且碳骨架本身密度小质量轻，使得材料能量密度高。CVD法硅碳负极搭配多孔碳基底，

有效的改善了膨胀率和循环寿命问题，其性能领先、发展潜力较大，将成为下一代硅碳主流工艺路线。

CVD硅碳用多孔碳定义：

多孔碳为硅碳负极的碳骨架，具备比表面积高、微观形貌可控、孔洞结构丰富、导电性良好、稳定性高等优

点，高比表面积使多孔碳能结合更多锂离子，为锂离