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CN119619780A 一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置 （华南理工大学）.pdfVIP

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  • 2026-06-16 发布于重庆
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CN119619780A 一种基于三端电阻监测的SiC MOSFET最大浪涌电流测试及失效分析方法和装置 （华南理工大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119619780A

    (43)申请公布日2025.03.14

    (21)申请号202411879145.3

    (22)申请日2024.12.19

    (71)申请人华南理工大学

    地址510640广东省广州市天河区五山路

    381号

    (72)发明人钟永乐王之哲陈志武何新华

    (74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有

    限公司44245

    专利代理师利韵婷

    (51)Int.Cl.

    G01R31/26(2020.01)

    G01R27/02(2006.01)

    G01R19/04(2006.01)

    权利要求书2页

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