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薄膜晶体管概述

薄膜晶体管（ThinFilmTransistor,TFT）采用绝缘栅极场效应晶体管结构，是现今平板显示驱动的主流技术，主要由源、漏、栅，绝缘层和半导体三部分组成，其工作原理主要是通过栅极的电源线控制电压从而调节载流子沟道形成的大小，即电流的大小。实现TFT显示的有源驱动，优点在于其高度集成且工艺技术较为简单，可制备出高清晰度高对比度的显示器。如图1-1为1973年展出的基于CdSTFT阵列的“6*6”有源矩阵液晶显示器样机，它奠定了薄膜晶体管在现实中的地位，从薄膜晶体管发展至今，主要可分为以下几类：

图STYLEREF1\s1-SEQ图\*ARABIC\s11“6*6”的有源矩阵驱动液晶显示器样机

（1）非晶硅薄膜晶体管（a-SiTFT）

主要采用a-Si作为半导体活性层。1979年LeComber等人首次利用底栅型结构和a-Si作为有源层，制备出a-SiTFT器件。拥有良好的均一性和大面积均匀彩色显示，制备温度也较低，生产合格率也较好，基本可以满足AMLCD的技术要求，成为现今AMLCD有源矩阵驱动电子器件的主流。但是由于活性层中有较多的悬挂键，导致迁移率较低（小于1cm2/Vs），光敏退化严重，需要进行氢化处理和加掩模板改善器件性能。但较低的载流子迁移率使其无法驱动高分辨率的动态图，具有局限性。

图ST