CN119584697A 一种制备图形化半透明碲化镉薄膜太阳电池的方法 (四川大学).pdfVIP

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  • 2026-06-17 发布于重庆
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CN119584697A 一种制备图形化半透明碲化镉薄膜太阳电池的方法 (四川大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584697A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411875365.9

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人四川大学

地址610065四川省成都市武侯区一环路

南一段24号

(72)发明人曾广根邰运朴张鑫刘邦华

尤福

(51)Int.Cl.

H10F71/00(2025.01)

H10F77/169(2025.01)

H10F10/00(2025.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种制备图形化半透明碲化镉薄膜太阳电

池的方

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