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太阳能光伏发电技术与应用手册（执行版）

第1章太阳能光伏发电基础理论与原理

第一节光伏效应与半导体物理基础

1.1光子吸收与电子激发机制

当太阳光谱中的光子能量大于半导体材料禁带宽度（$E_g$）时，光子会被硅晶格吸收，其能量转化为电子与空穴对的激发能。激发出的高能电子从价带跃迁至导带，成为自由电子，而留下的带正电的空穴则成为载流子，两者共同构成光生载流子。

在室温下，本征硅的导带电子浓度约为$1.5\times10^{10}\text{cm}^{-3}$，光生载流子浓度需显著高于此值才能产生有效电流。若光子能量过低（小于$1.1\text{eV}$，即红外光），无法激发电子跃迁，该部分能量将以热能形式耗散，无法转化为电能。光生载流子具有随机运动方向，在内部电场作用下发生定向漂移，形成光生电流，这是光伏效应的核心物理过程。

载流子的复合过程会消耗光生电流，因此理解复合机制对于提高电池效率至关重要，需控制表面态密度以降低复合速度。

1.2半导体能带结构与载流子输运

半导体材料的能带结构由价带（ValenceBand）、导带（ConductionBand）和禁带（BandGap）组成，能隙宽度直接决定了材料的禁带宽度$E_g$。本征硅的禁带宽度约为$1.12\text{eV}$，对应的截止波长约为$1100\text{nm