CN119694884A 一种提高半导体减薄效率及质量的激光刻蚀复合方法 （北京航空航天大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119694884A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411874565.2

(22)申请日2024.12.19

(71)申请人北京航空航天大学

地址100191北京市海淀区学院路37号

(72)发明人管迎春马毅

(51)Int.Cl.

H01L21/306(2006.01)

H01L21/3065(2006.01)

H01L21/268(2006.01)

H01L21/04(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

一种提高半导体减薄效率及质量的激光刻

蚀复合方法